二维原子晶体材料的取向控制生长研究进展OACSTPCD

二维原子晶体材料具有原子级厚度、优异的光学和电学等性质,在电子和光电子器件领域具有重要的应用前景.二维原子晶体材料的大面积单晶制备是其走向实际应用的基本前提.近年来,控制二维原子晶体材料的生长取向以实现其大面积单晶制备,已成为二维原子晶体材料领域的重要研究方向之一.尽管已有大量综述文章总结了二维原子晶体材料的可控制备研究进展,但关于二维原子晶体材料的取向控制生长研究仍缺乏系统的总结.介绍二维原子晶体材料的基本性质和制备中存在的问题,系统综述二维原子晶体材料的取向控制生长研究进展,包括衬底晶格诱导外延、衬底台阶诱导外延和液态衬底表面自组装外延3个主要生长方法及其基本原理,分析每种生长方法所制备二维原子晶体材料的结构特征,并探讨各生长方法适用的二维原子晶体材料的类型及其优缺点.对目前二维原子晶体材料的取向控制生长制备研究存在的问题进行梳理和分析,并展望其未来发展方向.综述为晶圆级二维原子晶体材料的可控制备及在光电子器件中的应用研究提供重要的理论指导.