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质子累积辐照效应对CMOS图像传感器饱和输出的影响

彭治钢白豪杰刘方李洋何欢李培贺朝会李永宏

物理学报2025，Vol.74Issue(2)：P.137-148,12.

物理学报2025，Vol.74Issue(2)：P.137-148,12.DOI:10.7498/aps.74.20241352

彭治钢 ¹白豪杰 ¹刘方 ¹李洋 ¹何欢 ¹李培 ¹贺朝会 ¹李永宏¹

作者信息

CMOS图像传感器/总剂量效应/饱和输出/满阱容量/转换增益

信息技术与安全科学

彭治钢,白豪杰,刘方,李洋,何欢,李培,贺朝会,李永宏..质子累积辐照效应对CMOS图像传感器饱和输出的影响[J].物理学报,2025,74(2):P.137-148,12.

国家自然科学基金(批准号:12005159)资助的课题. （批准号:12005159）

OA北大核心

ISSN：1000-3290

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