人工晶体学报2025，Vol.54Issue(1)：P.11-16,6.DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2024.0227
高均匀性6英寸GaN厚膜的高速率HVPE生长研究
摘要
关键词
氮化镓/氢化物气相外延/晶体生长/数值模拟/厚度不均匀性分类
数理科学引用本文复制引用
许万里,甘云海,李悦文,李彬,郑有炓,张荣,修向前..高均匀性6英寸GaN厚膜的高速率HVPE生长研究[J].人工晶体学报,2025,54(1):P.11-16,6.基金项目
国家重点研发计划(2022YFB3605201,2022YFB3605204)。 （2022YFB3605201,2022YFB3605204）
