现代应用物理2024，Vol.15Issue(6)：P.102-109,8.DOI:10.12061/j.issn.20956223.202406009
电离辐射总剂量效应对SiC MOSFET器件雪崩鲁棒性的影响
摘要
关键词
碳化硅/MOSFET/电离辐射总剂量效应/雪崩特性/鲁棒性/可靠性分类
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梁世维,杨鑫,陈家祺,王俊..电离辐射总剂量效应对SiC MOSFET器件雪崩鲁棒性的影响[J].现代应用物理,2024,15(6):P.102-109,8.基金项目
国家自然科学基金资助项目(52207199) （52207199）
湖南省自然科学基金资助项目(2023JJ30141) （2023JJ30141）
中央高校基本科研业务费(531118010924)。 （531118010924）
