基片台结构和生长参数对单晶金刚石和多晶金刚石膜质量的影响OA
调整基片台的结构,在自制的微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)设备上成功地批量生长了单晶金刚石,并沉积了直径为100 mm的多晶金刚石膜。通过对基片台上方的电场强度分布模拟研究发现,从衬底钼(Mo)或硅(Si)上表面到Mo片上表面之间的距离h对基片台上方的电场强度分布有重要影响,对决定金刚石生长质量的等离子体环境有重要作用;等离子体中甲烷(CH_(4))与氢气(H_(2))的体积比对单晶金刚石和多晶金刚石膜的生长质量有重要影响。研究表明:当h保…查看全部>>
刘佳;翁俊;刘繁;陈晓婧;汪建华;熊礼威
武汉工程大学材料科学与工程学院,湖北武汉430205武汉工程大学材料科学与工程学院,湖北武汉430205武汉工程大学材料科学与工程学院,湖北武汉430205武汉工程大学材料科学与工程学院,湖北武汉430205武汉工程大学材料科学与工程学院,湖北武汉430205武汉工程大学材料科学与工程学院,湖北武汉430205
金属材料
单晶金刚石多晶金刚石膜微波等离子体基片台
《武汉工程大学学报》 2025 (1)
P.44-52,9
湖北省教育厅科学研究计划(Q20201512)。
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