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双沟槽SiC MOSFET总剂量效应

朱文璐 郭红霞 李洋帆 马武英 张凤祁 白如雪 钟向丽 李济芳 曹彦辉 琚安安

物理学报2025，Vol.74Issue(5)：P.147-155,9.
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物理学报2025，Vol.74Issue(5)：P.147-155,9.DOI:10.7498/aps.74.20241641

双沟槽SiC MOSFET总剂量效应

朱文璐 1郭红霞 2李洋帆 1马武英 2张凤祁 2白如雪 1钟向丽 1李济芳 1曹彦辉 1琚安安1

作者信息

  • 1. 湘潭大学材料科学与工程学院,湘潭411105
  • 2. 西北核技术研究所,西安710024
  • 折叠

摘要

关键词

双沟槽/碳化硅/低频噪声/总剂量效应

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

朱文璐,郭红霞,李洋帆,马武英,张凤祁,白如雪,钟向丽,李济芳,曹彦辉,琚安安..双沟槽SiC MOSFET总剂量效应[J].物理学报,2025,74(5):P.147-155,9.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:12275230,12027813)资助的课题. （批准号:12275230,12027813）

物理学报

OA北大核心

1000-3290

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