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Cu-THQ薄膜的可控制备及其载流子迁移率调控

王龙盛 李朝晖 何漩 李薇馨 陈辉 王大珩 方伟 杜星 赵雷

高等学校化学学报2025,Vol.46Issue(3):P.111-120,10.
高等学校化学学报2025,Vol.46Issue(3):P.111-120,10.DOI:10.7503/cjcu20240470

Cu-THQ薄膜的可控制备及其载流子迁移率调控

王龙盛 1李朝晖 1何漩 1李薇馨 1陈辉 1王大珩 1方伟 1杜星 1赵雷1

作者信息

  • 1. 武汉科技大学先进耐火材料全国重点实验室,武汉430081
  • 折叠

摘要

关键词

导电金属有机框架/化学气相沉积/配位方式/π-π堆积/霍尔效应载流子迁移率

分类

化学化工

引用本文复制引用

王龙盛,李朝晖,何漩,李薇馨,陈辉,王大珩,方伟,杜星,赵雷..Cu-THQ薄膜的可控制备及其载流子迁移率调控[J].高等学校化学学报,2025,46(3):P.111-120,10.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:22105151,52305211) (批准号:22105151,52305211)

湖北省重点研发计划项目(批准号:2022BAA094) (批准号:2022BAA094)

湖北省自然科学基金(批准号:2024AFB836,2023AFB626,2022CFB626)资助。 (批准号:2024AFB836,2023AFB626,2022CFB626)

高等学校化学学报

OA北大核心

0251-0790

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