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Ar离子注入蓝宝石衬底诱导成核的高质量GaN外延

安瑕 许晟瑞 陶鸿昌 苏华科 杨赫 许钪 谢磊 贾敬宇 张进成 郝跃

无机材料学报2025，Vol.40Issue(1)：P.91-96,6.
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无机材料学报2025，Vol.40Issue(1)：P.91-96,6.DOI:10.15541/jim20240286

Ar离子注入蓝宝石衬底诱导成核的高质量GaN外延

安瑕 1许晟瑞 1陶鸿昌 1苏华科 1杨赫 1许钪 1谢磊 1贾敬宇 1张进成 1郝跃1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,西安710071
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摘要

关键词

GaN/离子注入/诱导成核/外延

分类

动力与电气工程

引用本文复制引用

安瑕,许晟瑞,陶鸿昌,苏华科,杨赫,许钪,谢磊,贾敬宇,张进成,郝跃..Ar离子注入蓝宝石衬底诱导成核的高质量GaN外延[J].无机材料学报,2025,40(1):P.91-96,6.

基金项目

国家自然科学基金(62074120,62134006) （62074120,62134006）

国家重点研发计划(2022YFB3604400)。 （2022YFB3604400）

无机材料学报

OA北大核心

1000-324X

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