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近紫外GaN基量子阱结构的局域和极化效应

武智波 贺龙飞 吴宗豪 徐明升 王成新 徐现刚 冀子武

聊城大学学报(自然科学版)2025，Vol.38Issue(2)：P.218-223,6.
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聊城大学学报(自然科学版)2025，Vol.38Issue(2)：P.218-223,6.DOI:10.19728/j.issn1672-6634.2024070014

近紫外GaN基量子阱结构的局域和极化效应

武智波 1贺龙飞 2吴宗豪 1徐明升 1王成新 3徐现刚 1冀子武1

作者信息

  • 1. 山东大学集成电路学院,新一代半导体材料研究院,山东济南250100
  • 2. 广东省科学院半导体研究所,广东广州510650
  • 3. 山东浪潮华光光电子股份有限公司,山东潍坊261061
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摘要

关键词

近紫外LED/GaN基多量子阱/光致发光/局域效应/量子限制斯塔克效应

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

武智波,贺龙飞,吴宗豪,徐明升,王成新,徐现刚,冀子武..近紫外GaN基量子阱结构的局域和极化效应[J].聊城大学学报(自然科学版),2025,38(2):P.218-223,6.

基金项目

国家自然科学基金项目(52272157,51872167) （52272157,51872167）

广州市基础研究计划项目(202201010679)资助。 （202201010679）

聊城大学学报(自然科学版)

1672-6634

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