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高压下GaAsSb纳米线室温光致发光特性研究

殷雪彤 廖敦渊 潘东 王鹏 刘冰冰

物理学报2025，Vol.74Issue(6)：P.256-263,8.
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物理学报2025，Vol.74Issue(6)：P.256-263,8.DOI:10.7498/aps.74.20250042

高压下GaAsSb纳米线室温光致发光特性研究

殷雪彤 1廖敦渊 2潘东 2王鹏 1刘冰冰1

作者信息

  • 1. 吉林大学,超硬材料国家重点实验室,长春130012
  • 2. 中国科学院半导体研究所,半导体芯片物理与技术全国重点实验室,北京100083
  • 折叠

摘要

关键词

砷锑化镓/纳米线/高压/室温发光

分类

数理科学

引用本文复制引用

殷雪彤,廖敦渊,潘东,王鹏,刘冰冰..高压下GaAsSb纳米线室温光致发光特性研究[J].物理学报,2025,74(6):P.256-263,8.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:11604116,12374459) （批准号:11604116,12374459）

中国科学院战略重点研究项目(批准号:XDB0460000) （批准号:XDB0460000）

中国科学院青年创新促进会(批准号:2017156,Y2021043)资助的课题. （批准号:2017156,Y2021043）

物理学报

OA北大核心

1000-3290

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