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连续通电条件下触桥结构继电器接触电阻退化机理研究

杨昕宇 吴承创 何育斌 张超 任万滨

电器与能效管理技术Issue(2):P.1-5,5.
电器与能效管理技术Issue(2):P.1-5,5.DOI:10.16628/j.cnki.2095-8188.2025.02.001

连续通电条件下触桥结构继电器接触电阻退化机理研究

杨昕宇 1吴承创 1何育斌 1张超 1任万滨1

作者信息

  • 1. 哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院,黑龙江哈尔滨150001
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摘要

关键词

连续通电/触桥结构/功率型继电器/接触电阻/簧片

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杨昕宇,吴承创,何育斌,张超,任万滨..连续通电条件下触桥结构继电器接触电阻退化机理研究[J].电器与能效管理技术,2025,(2):P.1-5,5.

基金项目

国家自然科学基金项目(U2441286,52407166,52377140)。 (U2441286,52407166,52377140)

电器与能效管理技术

2095-8188

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