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衬底晶面对MOCVD同质外延生长n-Ga_(2)O_(3)薄膜性质的影响研究

韩宇 焦腾 于含 赛青林 陈端阳 李震 李轶涵 张钊 董鑫

人工晶体学报2025，Vol.54Issue(3)：P.438-444,I0003,8.
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人工晶体学报2025，Vol.54Issue(3)：P.438-444,I0003,8.DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2024.0310

衬底晶面对MOCVD同质外延生长n-Ga_(2)O_(3)薄膜性质的影响研究

韩宇 1焦腾 1于含 1赛青林 2陈端阳 2李震 1李轶涵 1张钊 1董鑫1

作者信息

  • 1. 吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子全国重点实验室,长春130012
  • 2. 中国科学院上海光学精密机械研究所激光晶体研究中心,上海201800
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摘要

关键词

氧化镓/金属有机化学气相沉积/同质外延/掺杂/迁移率/生长速率

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

韩宇,焦腾,于含,赛青林,陈端阳,李震,李轶涵,张钊,董鑫..衬底晶面对MOCVD同质外延生长n-Ga_(2)O_(3)薄膜性质的影响研究[J].人工晶体学报,2025,54(3):P.438-444,I0003,8.

基金项目

国家重点研发计划(2022YFB3605500)。 （2022YFB3605500）

人工晶体学报

OA北大核心

1000-985X

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