人工晶体学报2025，Vol.54Issue(3)：P.407-413,I0003,8.DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2025.0010
3~4英寸Fe掺高阻β-Ga_(2)O_(3)单晶的制备及其性能研究
霍晓青 1张胜男 1周金杰 1王英民 1程红娟 1孙启升1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第四十六研究所,新型半导体晶体材料技术重点实验室,天津300220
- 折叠
摘要
关键词
β-Ga_(2)O_(3)单晶/电阻率/透过率/Raman光谱/XRD半峰全宽分类
数理科学引用本文复制引用
霍晓青,张胜男,周金杰,王英民,程红娟,孙启升..3~4英寸Fe掺高阻β-Ga_(2)O_(3)单晶的制备及其性能研究[J].人工晶体学报,2025,54(3):P.407-413,I0003,8.
