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氧化镓肖特基二极管硼离子注入终端技术研究

沈睿 郁鑫鑫 李忠辉 陈端阳 赛青林 谯兵 周立坤 董鑫 齐红基 陈堂胜

人工晶体学报2025，Vol.54Issue(3)：P.524-529,6.
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人工晶体学报2025，Vol.54Issue(3)：P.524-529,6.DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2024.0287

氧化镓肖特基二极管硼离子注入终端技术研究

沈睿 1郁鑫鑫 2李忠辉 1陈端阳 3赛青林 3谯兵 2周立坤 2董鑫 4齐红基 3陈堂胜5

作者信息

  • 1. 南京电子器件研究所,中国电科碳基电子重点实验室,南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室,南京210016
  • 2. 南京电子器件研究所,中国电科碳基电子重点实验室,南京210016
  • 3. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800 杭州富加镓业科技有限公司,杭州311421
  • 4. 吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室,长春130012
  • 5. 固态微波器件与电路全国重点实验室,南京210016
  • 折叠

摘要

关键词

β-Ga_(2)O_(3)/肖特基二极管/硼离子注入/边缘终端/击穿电压

分类

数理科学

引用本文复制引用

沈睿,郁鑫鑫,李忠辉,陈端阳,赛青林,谯兵,周立坤,董鑫,齐红基,陈堂胜..氧化镓肖特基二极管硼离子注入终端技术研究[J].人工晶体学报,2025,54(3):P.524-529,6.

基金项目

国家重点研发计划(2022YFB3605504)。 （2022YFB3605504）

人工晶体学报

OA北大核心

1000-985X

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