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Mg掺杂氧化镓研究进展

孙汝军 张晶辉 李一帆 郝跃 张进成

人工晶体学报2025,Vol.54Issue(3):P.361-370,10.
人工晶体学报2025,Vol.54Issue(3):P.361-370,10.DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2024.0295

Mg掺杂氧化镓研究进展

孙汝军 1张晶辉 1李一帆 1郝跃 1张进成1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学,宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室,西安710071 西安电子科技大学集成电路学部,西安710071
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摘要

关键词

氧化镓/Mg掺杂/半绝缘衬底/电流阻挡层/电学性能

分类

数理科学

引用本文复制引用

孙汝军,张晶辉,李一帆,郝跃,张进成..Mg掺杂氧化镓研究进展[J].人工晶体学报,2025,54(3):P.361-370,10.

基金项目

国家自然科学基金(62204186) (62204186)

陕西省三秦英才引进计划青年项目 ()

国家级抗辐照应用技术创新中心(KFZC2022020401) (KFZC2022020401)

中央高校基本科研业务费专项资金(ZYTS23027)。 (ZYTS23027)

人工晶体学报

OA北大核心

1000-985X

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