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导模法生长氧化镓晶体中的位错缺陷及其分布特点

杨文娟 卜予哲 赛青林 齐红基

人工晶体学报2025，Vol.54Issue(3)：P.414-419,6.
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人工晶体学报2025，Vol.54Issue(3)：P.414-419,6.DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2024.0304

导模法生长氧化镓晶体中的位错缺陷及其分布特点

杨文娟 1卜予哲 1赛青林 2齐红基3

作者信息

  • 1. 中国科学院上海光学精密机械研究所激光晶体研究中心,上海201800 中国科学院大学材料与光电研究中心,北京100049
  • 2. 中国科学院上海光学精密机械研究所激光晶体研究中心,上海201800
  • 3. 中国科学院上海光学精密机械研究所激光晶体研究中心,上海201800 杭州光学精密机械研究所,杭州311421
  • 折叠

摘要

关键词

氧化镓/宽禁带半导体/位错/X射线形貌分析术/导模法/腐蚀法

分类

数理科学

引用本文复制引用

杨文娟,卜予哲,赛青林,齐红基..导模法生长氧化镓晶体中的位错缺陷及其分布特点[J].人工晶体学报,2025,54(3):P.414-419,6.

基金项目

国家重点研发计划(2022YFB3605500)。 （2022YFB3605500）

人工晶体学报

OA北大核心

1000-985X

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