物理学报2025，Vol.74Issue(9)：P.277-283,7.DOI:10.7498/aps.74.20250126
面向后摩尔Ge-CMOS制造的超薄高介电常数LaLuO_(3)栅介质工艺研究
摘要
关键词
Ge/基金属-氧化物-半导体场效应晶体管/栅极结构工艺/稀土氧化物/高介电常数分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
唐晓雨,刘玉杰,花涛..面向后摩尔Ge-CMOS制造的超薄高介电常数LaLuO_(3)栅介质工艺研究[J].物理学报,2025,74(9):P.277-283,7.基金项目
国家自然科学基金(批准号:62104102) （批准号:62104102）
南京工程学院引进人才基金(批准号:YKJ201827)资助的课题. （批准号:YKJ201827）
