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增强型GaN器件动态导通电阻的分数阶等效建模

金鸿 陈曦 张赟宁 邾玢鑫 黄悦华

控制理论与应用2025,Vol.42Issue(6):P.1152-1159,8.
控制理论与应用2025,Vol.42Issue(6):P.1152-1159,8.DOI:10.7641/CTA.2025.40187

增强型GaN器件动态导通电阻的分数阶等效建模

金鸿 1陈曦 1张赟宁 1邾玢鑫 1黄悦华1

作者信息

  • 1. 三峡大学电气与新能源学院,湖北宜昌443002 三峡大学智慧能源技术湖北省工程研究中心,湖北宜昌443002
  • 折叠

摘要

关键词

GaN器件/导通电阻/电子俘获/分数阶微积分

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

金鸿,陈曦,张赟宁,邾玢鑫,黄悦华..增强型GaN器件动态导通电阻的分数阶等效建模[J].控制理论与应用,2025,42(6):P.1152-1159,8.

基金项目

湖北省自然科学基金项目(2020CFB248)资助。 (2020CFB248)

控制理论与应用

OA北大核心

1000-8152

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