桂林电子科技大学学报2025，Vol.45Issue(3)：P.266-272,7.DOI:10.16725/j.1673-808X.202524
基于CVD制备MoS_(2)忆阻器及其忆阻特性研究
摘要
关键词
化学气相沉积/过渡金属硫属化合物(TMDs)/原位生长/金属封盖层/MoS_(2)/忆阻器分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
孙堂友,谭振强,邓兴,李海鸥,李建华,陈赞辉,邹琦萍,诸葛业琴..基于CVD制备MoS_(2)忆阻器及其忆阻特性研究[J].桂林电子科技大学学报,2025,45(3):P.266-272,7.基金项目
广西自然科学基金(2024GXNSFFA010007,AD23026253) （2024GXNSFFA010007,AD23026253）
国家自然科学基金(62205080) （62205080）
广西精密导航技术与应用重点实验基金(DH202218,DH202302) （DH202218,DH202302）
广西类脑计算与智能芯片重点实验室开放基金(BCIC-23-K6) （BCIC-23-K6）
广西高校人工智能与信息处理重点实验室(河池学院)开放研究基金(2024GXZDSY015)。 （河池学院）
