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基于碳化硅器件的半控三相有源整流器设计

顾来强

电气传动2025,Vol.55Issue(8):P.40-44,5.
电气传动2025,Vol.55Issue(8):P.40-44,5.DOI:10.19457/j.1001-2095.dqcd26626

基于碳化硅器件的半控三相有源整流器设计

顾来强1

作者信息

  • 1. 天津市水务局排水管理事务中心机电安装维修所,天津300070
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摘要

关键词

半控三相PWM整流器/碳化硅(SiC)MOSFET/总谐波畸变率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

顾来强..基于碳化硅器件的半控三相有源整流器设计[J].电气传动,2025,55(8):P.40-44,5.

电气传动

1001-2095

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