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基于POD热网络模型的SiC MOSFET浪涌安全工作区评估

赵耀 刘征 王志强 王进君 李国锋

中国电机工程学报2025,Vol.45Issue(15):P.6080-6091,I0027,13.
中国电机工程学报2025,Vol.45Issue(15):P.6080-6091,I0027,13.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.241710

基于POD热网络模型的SiC MOSFET浪涌安全工作区评估

赵耀 1刘征 1王志强 1王进君 1李国锋1

作者信息

  • 1. 大连理工大学电气工程学院,辽宁省大连市116024
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摘要

关键词

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管/浪涌/极端工况/热网络/安全工作区

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

赵耀,刘征,王志强,王进君,李国锋..基于POD热网络模型的SiC MOSFET浪涌安全工作区评估[J].中国电机工程学报,2025,45(15):P.6080-6091,I0027,13.

基金项目

国家自然科学基金项目(青年科学基金项目)(51907016)。 (青年科学基金项目)

中国电机工程学报

OA北大核心

0258-8013

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