电源学报2025，Vol.23Issue(4)：P.316-321,6.DOI:10.13234/j.issn.2095-2805.2025.4.316
基于SiC MOSFET的固态断路器栅极失效及老化特性研究
摘要
关键词
固态断路器/SiC MOSFET/失效分析/老化特征分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
桂雷,庞士宝,王勇..基于SiC MOSFET的固态断路器栅极失效及老化特性研究[J].电源学报,2025,23(4):P.316-321,6.基金项目
国家煤矿科技攻关资助项目(GN2022-06-2217)。 （GN2022-06-2217）
