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考虑寄生电容和电感影响的SiC MOSFET三相全桥损耗计算方法

陈魁昊 刘旭

电源学报2025，Vol.23Issue(4)：P.295-305,11.
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电源学报2025，Vol.23Issue(4)：P.295-305,11.DOI:10.13234/j.issn.2095-2805.2025.4.295

考虑寄生电容和电感影响的SiC MOSFET三相全桥损耗计算方法

陈魁昊 1刘旭1

作者信息

  • 1. 省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室(河北工业大学电气工程学院),天津300130 河北省电磁场与电器可靠性重点实验室,天津300130
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摘要

关键词

SiC MOSFET/三相全桥逆变器损耗/寄生电感/寄生电容

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈魁昊,刘旭..考虑寄生电容和电感影响的SiC MOSFET三相全桥损耗计算方法[J].电源学报,2025,23(4):P.295-305,11.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(52077055)。 （52077055）

电源学报

OA北大核心

2095-2805

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