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高压GaN功率HEMT设计

曹创哲

物联网技术2025，Vol.15Issue(18)：2-2,1.
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物联网技术2025，Vol.15Issue(18)：2-2,1.

高压GaN功率HEMT设计

曹创哲1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学
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摘要

关键词

GaN/高浓度2DEG/栅极可靠性/高压研究/节能减排

引用本文复制引用

曹创哲..高压GaN功率HEMT设计[J].物联网技术,2025,15(18):2-2,1.

物联网技术

2095-1302

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