物理学报2025，Vol.74Issue(18)：P.354-363,10.DOI:10.7498/aps.74.20250719
氧掺杂3C-SiC的正电子湮没寿命及符合多普勒展宽谱计算
赵逸 1张弘弢 1力强 2汤贤 1成国栋2
作者信息
- 1. 南华大学核科学技术学院,衡阳421001
- 2. 南华大学计算机学院,衡阳421001
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摘要
关键词
3C-SiC/正电子湮没寿命/符合多普勒展宽谱/点缺陷分类
数理科学引用本文复制引用
赵逸,张弘弢,力强,汤贤,成国栋..氧掺杂3C-SiC的正电子湮没寿命及符合多普勒展宽谱计算[J].物理学报,2025,74(18):P.354-363,10.
