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基于高通量第一性原理计算单层MoS_(2)载流子及其磁性研究

詹庆 武慧婷 张振霄 葛威龙 李雨凡 刘赵文

安庆师范大学学报(自然科学版)2025，Vol.31Issue(2)：P.80-85,6.
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安庆师范大学学报(自然科学版)2025，Vol.31Issue(2)：P.80-85,6.DOI:10.13757/j.cnki.cn34-1328/n.2025.02.012

基于高通量第一性原理计算单层MoS_(2)载流子及其磁性研究

詹庆 1武慧婷 2张振霄 2葛威龙 2李雨凡 2刘赵文1

作者信息

  • 1. 池州学院材料与环境工程学院,安徽池州247000 池州学院微纳粉体与先进能源材料安徽省教育厅重点实验室,安徽池州247000
  • 2. 池州学院材料与环境工程学院,安徽池州247000
  • 折叠

摘要

关键词

第一性原理计算/二硫化钼/掺杂/磁性

分类

数理科学

引用本文复制引用

詹庆,武慧婷,张振霄,葛威龙,李雨凡,刘赵文..基于高通量第一性原理计算单层MoS_(2)载流子及其磁性研究[J].安庆师范大学学报(自然科学版),2025,31(2):P.80-85,6.

基金项目

池州学院校级自然科学研究重点项目(CZ2024ZRZ01) （CZ2024ZRZ01）

大学生创新创业训练计划项目(202511306005,X202411306019)。 （202511306005,X202411306019）

安庆师范大学学报(自然科学版)

1007-4260

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