蜂巢表面AlGaInP基倒装Micro-LED的光电性能OA北大核心
AlGaInP基红光Micro-LED较低的光提取效率限制了器件的发光强度。本文提出了一种自组装Ni金属纳米掩模和湿法刻蚀技术,获得了具有高密度、高均匀性的GaP表面纹理,通过表面纹理增加临界角降低全内反射效应从而有效地提高了器件光提取效率。使用不同厚度的镍掩膜获得不同形貌的表面纹理。结果表明,在20 A/cm^(2) 电流密度下,使用1 nm厚镍金属纳米掩膜湿法蚀刻的Micro-LED的发光强度和外量子效率比无表面纹理的Micro-LED分别提升21.04%和23.58%。提出了一种使用ICP干法刻蚀结合湿法刻蚀制备蜂巢型圆柱状表面纹理。在相同工艺的ICP刻蚀后对GaP层湿法腐蚀不同时间,在电流密度为20 A/cm^(2) 时,使用ICP蚀刻和湿法蚀刻10 s*3次的Micro-LED发光强度和外量子效率分别比无表面纹理的Micro-LED提高了81.61%和48.40%。
谢军;张威;谢子敬;徐盛海;王洪
华南理工大学物理与光电学院,广东省光电工程技术研究中心,广东广州510630华南理工大学物理与光电学院,广东省光电工程技术研究中心,广东广州510630 京东方华灿光电股份有限公司,浙江义乌322000华南理工大学物理与光电学院,广东省光电工程技术研究中心,广东广州510630京东方华灿光电股份有限公司,浙江义乌322000华南理工大学物理与光电学院,广东省光电工程技术研究中心,广东广州510630 京东方华灿光电股份有限公司,浙江义乌322000 中山市华南理工大学现代产业技术研究院,广东中山528437
电子信息工程
AlGaInP倒装光提取效率Micro-LED表面纹理
《发光学报》 2025 (10)
P.1953-1960,8
广东省科技计划项目(2020B010171001)中山市科技发展专项基金项目(2019AG042,2020AG023,2023A0002)。
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