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提升反向恢复性能的超结4H-SiC沟槽MOSFET结构

徐彬艺 梁伟 沈重

海南大学学报(自然科学版中英文)2025，Vol.43Issue(5)：P.576-586,11.
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海南大学学报(自然科学版中英文)2025，Vol.43Issue(5)：P.576-586,11.DOI:10.15886/j.cnki.hndk.2024103101

提升反向恢复性能的超结4H-SiC沟槽MOSFET结构

徐彬艺 1梁伟 1沈重2

作者信息

  • 1. 海南大学信息与通信工程学院,海南海口570228
  • 2. 海南大学电子科学与技术学院,海南海口570228
  • 折叠

摘要

关键词

4H-SiC沟槽MOSFET/超结/反向恢复特性

分类

社会科学

引用本文复制引用

徐彬艺,梁伟,沈重..提升反向恢复性能的超结4H-SiC沟槽MOSFET结构[J].海南大学学报(自然科学版中英文),2025,43(5):P.576-586,11.

基金项目

海南省重点研发计划项目(ZDYF2023GXJS005) （ZDYF2023GXJS005）

海南省重大科技计划项目(ZDKJ2021023)。 （ZDKJ2021023）

海南大学学报(自然科学版中英文)

1004-1729

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