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基于二次溅射的4H-SiC/Ti/TaSi_(2)/Pt耐高温引线电极制备

路晶 李志强 雷程 贾平岗 刘士琳 余建刚 李永伟 梁庭

物理学报2025，Vol.74Issue(20)：P.348-357,10.
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物理学报2025，Vol.74Issue(20)：P.348-357,10.DOI:10.7498/aps.74.20250801

基于二次溅射的4H-SiC/Ti/TaSi_(2)/Pt耐高温引线电极制备

路晶 1李志强 1雷程 1贾平岗 1刘士琳 1余建刚 1李永伟 2梁庭1

作者信息

  • 1. 中北大学,宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室,太原030051
  • 2. 太原工业学院自动化系,太原030051
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摘要

关键词

碳化硅/溅射/引线电极/欧姆接触

分类

电子信息工程

引用本文复制引用

路晶,李志强,雷程,贾平岗,刘士琳,余建刚,李永伟,梁庭..基于二次溅射的4H-SiC/Ti/TaSi_(2)/Pt耐高温引线电极制备[J].物理学报,2025,74(20):P.348-357,10.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2023YFB3208500) （批准号:2023YFB3208500）

山西省重点研发计划(批准号:202302030201001) （批准号:202302030201001）

山西省科技重大专项“揭榜挂帅”项目(批准号:202301030201003)资助的课题. （批准号:202301030201003）

物理学报

OA北大核心

1000-3290

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