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嵌入半超结的增强型GaN/AlGaN异质结垂直HFET

杨晨飞 韦文生 汪子盛 丁靖扬 陈超逸 杨锦天

电子器件2025,Vol.48Issue(5):P.979-988,10.
电子器件2025,Vol.48Issue(5):P.979-988,10.DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2025.05.004

嵌入半超结的增强型GaN/AlGaN异质结垂直HFET

杨晨飞 1韦文生 1汪子盛 1丁靖扬 1陈超逸 1杨锦天1

作者信息

  • 1. 温州大学电气与电子工程学院,浙江温州325035
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摘要

关键词

增强型垂直HFET/Al组份突变、缓变的GaN/AlGaN异质结/半超结

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杨晨飞,韦文生,汪子盛,丁靖扬,陈超逸,杨锦天..嵌入半超结的增强型GaN/AlGaN异质结垂直HFET[J].电子器件,2025,48(5):P.979-988,10.

基金项目

国家自然科学基金项目(62374116)。 (62374116)

电子器件

1005-9490

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