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基于12nm FinFET器件的可变LET值重离子单粒子效应实验方法研究

韩云昊 罗尹虹 陈伟 张凤祁 汤晓斌 郝培培 陈飞达

现代应用物理2025，Vol.16Issue(5)：P.151-157,7.
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现代应用物理2025，Vol.16Issue(5)：P.151-157,7.DOI:10.12061/j.issn.2095-6223.202501014

基于12nm FinFET器件的可变LET值重离子单粒子效应实验方法研究

韩云昊 1罗尹虹 2陈伟 2张凤祁 2汤晓斌 1郝培培 2陈飞达1

作者信息

  • 1. 南京航空航天大学核科学与技术系,南京211106
  • 2. 强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室,西安710024
  • 折叠

摘要

关键词

重离子/单粒子翻转/FinFET/可变LET值/布拉格曲线

分类

核科学

引用本文复制引用

韩云昊,罗尹虹,陈伟,张凤祁,汤晓斌,郝培培,陈飞达..基于12nm FinFET器件的可变LET值重离子单粒子效应实验方法研究[J].现代应用物理,2025,16(5):P.151-157,7.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(12375275,12405319)。 （12375275,12405319）

现代应用物理

2095-6223

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