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氘化对忆容材料(CETM)_(2)[InCl_(5)(H_(2)O)]的界面极化调控

路佳丽 刘兆龙 金士锋 陈小龙

人工晶体学报2025，Vol.54Issue(10)：P.1714-1721,8.
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人工晶体学报2025，Vol.54Issue(10)：P.1714-1721,8.DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2025.0164

氘化对忆容材料(CETM)_(2)[InCl_(5)(H_(2)O)]的界面极化调控

路佳丽 1刘兆龙 2金士锋 2陈小龙3

作者信息

  • 1. 中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家研究中心,北京100190
  • 2. 中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家研究中心,北京100190 中国科学院大学物理科学学院,北京100049
  • 3. 中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家研究中心,北京100190 中国科学院大学物理科学学院,北京100049 松山湖材料实验室,东莞523808
  • 折叠

摘要

关键词

(CETM)_(2)[InCl_(5)(H_(2)O)]/氘化/界面极化/质子迁移/忆容材料/离子导体

引用本文复制引用

路佳丽,刘兆龙,金士锋,陈小龙..氘化对忆容材料(CETM)_(2)[InCl_(5)(H_(2)O)]的界面极化调控[J].人工晶体学报,2025,54(10):P.1714-1721,8.

基金项目

国家自然科学基金(52272268,22273014) （52272268,22273014）

综合极端装置项目(SECUF)。 （SECUF）

人工晶体学报

OA北大核心

1000-985X

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