中国电机工程学报2025，Vol.45Issue(21)：P.8544-8554,I0023,12.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.242303
一种SiC MOSFET双阈值检测短路保护电路设计与研究
摘要
关键词
碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管/短路保护/di/dt检测/短路测试/双阈值检测分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
谭亚雄,刘元,张梦洋,郭珺灏..一种SiC MOSFET双阈值检测短路保护电路设计与研究[J].中国电机工程学报,2025,45(21):P.8544-8554,I0023,12.基金项目
重庆自然科学基金项目(CSTB2025NSCQ-LZX0O17) （CSTB2025NSCQ-LZX0O17）
四川省科技计划项目(2024YFHZ0104)。 （2024YFHZ0104）
