大连理工大学学报2025，Vol.65Issue(6)：P.638-645,8.DOI:10.7511/dllgxb202506013
不同温度下AlGaN/GaN HEMT直流特性研究
摘要
关键词
AlGaN/GaN HEMT/高温特性/自热效应/TCAD/电子饱和速度分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
谷海燕,张贺秋,朱江,徐林欣,吴一航,梁晓华..不同温度下AlGaN/GaN HEMT直流特性研究[J].大连理工大学学报,2025,65(6):P.638-645,8.基金项目
国家自然科学基金资助项目(11975257,12075045,11875097,62074146) （11975257,12075045,11875097,62074146）
中央高效基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042,DUT19RC(3)074,DUT19LK45)。 （DUT20RC(3）
