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超紧凑封装高压串联SiC MOSFET脉冲功率模块

姚陈果 张鹏浩 余亮 付作鸿 颜薪瞩 雷智程 董守龙

高电压技术2025，Vol.51Issue(11)：P.5683-5695,13.
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高电压技术2025，Vol.51Issue(11)：P.5683-5695,13.DOI:10.13336/j.1003-6520.hve.20241829

超紧凑封装高压串联SiC MOSFET脉冲功率模块

姚陈果 1张鹏浩 1余亮 1付作鸿 1颜薪瞩 2雷智程 2董守龙1

作者信息

  • 1. 输变电装备技术全国重点实验室(重庆大学电气工程学院),重庆400044
  • 2. 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,成都610299
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摘要

关键词

SiC MOSFET串联/功率模块封装/局部放电/隔离驱动/脉冲功率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

姚陈果,张鹏浩,余亮,付作鸿,颜薪瞩,雷智程,董守龙..超紧凑封装高压串联SiC MOSFET脉冲功率模块[J].高电压技术,2025,51(11):P.5683-5695,13.

基金项目

国家自然科学基金(52237010,52277135,52477229)。 （52237010,52277135,52477229）

高电压技术

OA北大核心

1003-6520

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