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弯曲对氧化铟沟道离子凝胶栅MOSFET器件电学性能调控研究

高睿怡 刘琛 王瑞勃 张玉明 杨晓阔 靳晨星 孙佳

空军工程大学学报2025，Vol.26Issue(6)：P.45-49,64,6.
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空军工程大学学报2025，Vol.26Issue(6)：P.45-49,64,6.DOI:10.3969/j.issn.2097-1915.2025.06.005

弯曲对氧化铟沟道离子凝胶栅MOSFET器件电学性能调控研究

高睿怡 1刘琛 2王瑞勃 2张玉明 2杨晓阔 1靳晨星 3孙佳3

作者信息

  • 1. 空军工程大学基础部,西安710051
  • 2. 西安电子科技大学集成电路学部宽禁带半导体器件与集成技术国家重点实验室,西安710071
  • 3. 中南大学物理学院超微结构与超快过程湖南省重点实验室,长沙410083
  • 折叠

摘要

关键词

离子凝胶/弯曲应力效应/柔性电子

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

高睿怡,刘琛,王瑞勃,张玉明,杨晓阔,靳晨星,孙佳..弯曲对氧化铟沟道离子凝胶栅MOSFET器件电学性能调控研究[J].空军工程大学学报,2025,26(6):P.45-49,64,6.

基金项目

国家自然科学基金(92164202) （92164202）

陕西省自然科学基础研究计划(2024JC-YBQN-0622) （2024JC-YBQN-0622）

西安电子科技大学学科交叉拓展特支计划-前沿基础专项(TZJH2024023)。 （TZJH2024023）

空军工程大学学报

OA北大核心

2097-1915

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