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单/双轴应变对二维MoSi_(2)N_(4)电子结构与光学性质的影响

冼婧如 黄煜军 李昱霖 熊政燃 曾华东

原子与分子物理学报2026,Vol.43Issue(4):P.153-162,10.
原子与分子物理学报2026,Vol.43Issue(4):P.153-162,10.DOI:10.19855/j.1000-0364.2026.046005

单/双轴应变对二维MoSi_(2)N_(4)电子结构与光学性质的影响

冼婧如 1黄煜军 1李昱霖 1熊政燃 1曾华东1

作者信息

  • 1. 华南师范大学材料与新能源学院,汕尾516625
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摘要

关键词

二维MoSi_(2)N_(4)/第一性原理/单/双轴应变/电子结构/光学性质

分类

数理科学

引用本文复制引用

冼婧如,黄煜军,李昱霖,熊政燃,曾华东..单/双轴应变对二维MoSi_(2)N_(4)电子结构与光学性质的影响[J].原子与分子物理学报,2026,43(4):P.153-162,10.

基金项目

华南师范大学课外科研金种子培育项目基金(23XZGB05)。 (23XZGB05)

原子与分子物理学报

1000-0364

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