| 注册
首页|期刊导航|原子能科学技术|基于CMOS图像传感器的重离子辐射探测方法及误差分析

基于CMOS图像传感器的重离子辐射探测方法及误差分析

刘新飞 文林 李豫东 郭旗

原子能科学技术2025,Vol.59Issue(12):P.2746-2754,9.
原子能科学技术2025,Vol.59Issue(12):P.2746-2754,9.DOI:10.7538/yzk.2025.youxian.0105

基于CMOS图像传感器的重离子辐射探测方法及误差分析

刘新飞 1文林 2李豫东 2郭旗2

作者信息

  • 1. 新疆大学材料科学与工程学院,新疆乌鲁木齐830017 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011 特殊环境条件功能材料与器件全国重点实验室,新疆乌鲁木齐830011 新疆极端环境电子学重点实验室,新疆乌鲁木齐830011
  • 2. 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011 特殊环境条件功能材料与器件全国重点实验室,新疆乌鲁木齐830011 新疆极端环境电子学重点实验室,新疆乌鲁木齐830011
  • 折叠

摘要

关键词

CMOS图像传感器/重离子/辐射探测/注量/注量率

分类

能源科技

引用本文复制引用

刘新飞,文林,李豫东,郭旗..基于CMOS图像传感器的重离子辐射探测方法及误差分析[J].原子能科学技术,2025,59(12):P.2746-2754,9.

基金项目

国家自然科学基金(12175308) (12175308)

自治区“天山英才”青年拔尖人才项目(2023TSYCCX0107)。 (2023TSYCCX0107)

原子能科学技术

OA北大核心

1000-6931

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文