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亚20 nm FinFET SRAM工艺涨落对单粒子翻转特性的影响

孙乾 郭阳 梁斌 池雅庆 陶明 罗登 陈建军 孙晗晗 胡春媚 方亚豪 高宇林 肖靖

国防科技大学学报2025，Vol.47Issue(6)：P.264-273,10.
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国防科技大学学报2025，Vol.47Issue(6)：P.264-273,10.DOI:10.11887/j.issn.1001-2486.24010004

亚20 nm FinFET SRAM工艺涨落对单粒子翻转特性的影响

孙乾 1郭阳 1梁斌 1池雅庆 1陶明 2罗登 1陈建军 1孙晗晗 1胡春媚 1方亚豪 1高宇林 1肖靖2

作者信息

  • 1. 国防科技大学计算机学院,湖南长沙410073 国防科技大学先进微处理器芯片与系统重点实验室,湖南长沙410073
  • 2. 湖南大学电气与信息工程学院,湖南长沙410082
  • 折叠

摘要

关键词

FinFET/单粒子翻转/静态随机存储器/工艺涨落/工艺角

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

孙乾,郭阳,梁斌,池雅庆,陶明,罗登,陈建军,孙晗晗,胡春媚,方亚豪,高宇林,肖靖..亚20 nm FinFET SRAM工艺涨落对单粒子翻转特性的影响[J].国防科技大学学报,2025,47(6):P.264-273,10.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(62174180) （62174180）

湖南省研究生科研创新项目资助项目(CX20220005)。 （CX20220005）

国防科技大学学报

OA北大核心

1001-2486

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