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半导体器件内离子有效LET值测量方法研究

史淑廷 郭刚 刘建成 蔡莉 陈泉 沈东军 惠宁 张艳文 覃英参 韩金华 陈启明 张付强 殷倩 肖舒颜

电子学报2018，Vol.46Issue(10)：P.2546-2550,5.
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电子学报2018，Vol.46Issue(10)：P.2546-2550,5.DOI:10.3969/j.issn.0372-2112.2018.10.032

半导体器件内离子有效LET值测量方法研究

史淑廷 1郭刚 1刘建成 1蔡莉 1陈泉 1沈东军 1惠宁 1张艳文 1覃英参 1韩金华 1陈启明 1张付强 1殷倩 1肖舒颜1

作者信息

  • 1. 中国原子能科学研究院核物理所,国防科技工业抗辐照应用技术创新中心,北京102413
  • 折叠

摘要

关键词

单粒子效应/电荷收集/有效LET值/SRAM

分类

能源科技

引用本文复制引用

史淑廷,郭刚,刘建成,蔡莉,陈泉,沈东军,惠宁,张艳文,覃英参,韩金华,陈启明,张付强,殷倩,肖舒颜..半导体器件内离子有效LET值测量方法研究[J].电子学报,2018,46(10):P.2546-2550,5.

基金项目

国家安全重大基础研究计划子专题(No.6132240302-1) （No.6132240302-1）

国家自然科学基金青年基金(No.11105230)。 （No.11105230）

电子学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0372-2112

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