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集成电路与嵌入式系统
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全球首颗8 Mb SOT-MRAM:从器件突破到晶圆级制造
全球首颗8 Mb SOT-MRAM:从器件突破到晶圆级制造
集成电路与嵌入式系统
2026，Vol.26
Issue(1)：1-4,4.
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集成电路与嵌入式系统
2026，Vol.26
Issue(1)
：1-4,4.
DOI:10.20193/j.ices2097-4191.2025.0120
全球首颗8 Mb SOT-MRAM:从器件突破到晶圆级制造
摘要
关键词
新型非易失存储器
/
自旋轨道力矩磁随机存储器
/
晶圆级制造
引用本文
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..全球首颗8 Mb SOT-MRAM:从器件突破到晶圆级制造[J].集成电路与嵌入式系统,2026,26(1):1-4,4.
集成电路与嵌入式系统
ISSN：
1009-623X
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