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基于微转印方法实现Ⅲ-V-on-SOI异质集成光电探测器

王兆璁 全志恒 郑施冠卿 朱岩 叶楠 陆梁军 周林杰 宋英雄

光通信研究Issue(2)：P.86-92,7.
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光通信研究Issue(2)：P.86-92,7.DOI:10.13756/j.gtxyj.2025.240016

基于微转印方法实现Ⅲ-V-on-SOI异质集成光电探测器

王兆璁 1全志恒 2郑施冠卿 1朱岩 3叶楠 1陆梁军 4周林杰 4宋英雄1

作者信息

  • 1. 上海大学特种光纤与光接入网重点实验室,上海200444
  • 2. 九峰山实验室工艺中心,武汉430074
  • 3. 北京英孚瑞半导体科技有限公司,北京100037
  • 4. 上海交通大学区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室,上海200240 上海交通大学平湖智能光电研究院,浙江平湖314299
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摘要

关键词

硅基光电子/异质集成/微转印/光电探测器

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王兆璁,全志恒,郑施冠卿,朱岩,叶楠,陆梁军,周林杰,宋英雄..基于微转印方法实现Ⅲ-V-on-SOI异质集成光电探测器[J].光通信研究,2025,(2):P.86-92,7.

基金项目

科技部重点研发项目(2022YFB2804502) （2022YFB2804502）

国家自然科学基金面上资助项目(62175143) （62175143）

光通信研究

OA北大核心

1005-8788

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