桂林电子科技大学学报2025，Vol.45Issue(4)：P.399-404,6.DOI:10.16725/j.1673-808X.2023130
双轴应变与外加电场下单层Sb_(2)Te_(2)Se纳米膜电子结构的第一性原理计算
摘要
关键词
单层Sb_(2)Te_(2)Se纳米膜/双轴应变/外加电场/电子结构/热电性能分类
通用工业技术引用本文复制引用
赵维乐,周刚,王智敏,甘慧敏..双轴应变与外加电场下单层Sb_(2)Te_(2)Se纳米膜电子结构的第一性原理计算[J].桂林电子科技大学学报,2025,45(4):P.399-404,6.基金项目
国家自然科学基金(11764009) （11764009）
桂林电子科技大学研究生教育创新计划(2022YCXS191)。 （2022YCXS191）
