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基于局部纳米点调控的类突触非晶态MoS_(2)/TiO_(2)忆阻器

朱媛媛 张云飞 王鑫 张苗 王红军

物理学报2026,Vol.75Issue(4):P.334-343,10.
物理学报2026,Vol.75Issue(4):P.334-343,10.DOI:10.7498/aps.75.20251224

基于局部纳米点调控的类突触非晶态MoS_(2)/TiO_(2)忆阻器

朱媛媛 1张云飞 1王鑫 1张苗 1王红军1

作者信息

  • 1. 陕西科技大学物理与信息科学学院,西安710021
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摘要

关键词

忆阻器/异质结结构/非晶态/MoS_(2)/神经形态计算

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

朱媛媛,张云飞,王鑫,张苗,王红军..基于局部纳米点调控的类突触非晶态MoS_(2)/TiO_(2)忆阻器[J].物理学报,2026,75(4):P.334-343,10.

基金项目

陕西省自然科学基金(批准号:2025JC-YBMS-001) (批准号:2025JC-YBMS-001)

国家自然科学基金(批准号:11905119)资助的课题。 (批准号:11905119)

物理学报

1000-3290

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