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BeZnOS/Ga_(2)O_(3)异质结薄膜制备及其作为自驱动型紫外探测器件的性能

张腾 朱永丹 张源 任达华 周章洋 余基映 易金桥

硅酸盐学报2026,Vol.54Issue(1):P.195-206,12.
硅酸盐学报2026,Vol.54Issue(1):P.195-206,12.DOI:10.14062/j.issn.0454-5648.20250597

BeZnOS/Ga_(2)O_(3)异质结薄膜制备及其作为自驱动型紫外探测器件的性能

张腾 1朱永丹 1张源 1任达华 1周章洋 1余基映 1易金桥1

作者信息

  • 1. 湖北民族大学智能科学与工程学院,湖北恩施445000
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摘要

关键词

宽禁带半导体/氧化物薄膜/异质结/自驱动紫外光响应

分类

数理科学

引用本文复制引用

张腾,朱永丹,张源,任达华,周章洋,余基映,易金桥..BeZnOS/Ga_(2)O_(3)异质结薄膜制备及其作为自驱动型紫外探测器件的性能[J].硅酸盐学报,2026,54(1):P.195-206,12.

基金项目

国家自然科学基金(12464004) (12464004)

湖北省自然科学基金(2024AFD069,2025AFB307) (2024AFD069,2025AFB307)

湖北省教育厅青年人才项目(Q20231903) (Q20231903)

湖北民族大学校内科研项目(XN24030)。 (XN24030)

硅酸盐学报

0454-5648

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