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基于深能级瞬态谱的InGaSb/AlGaAsSb量子阱激光器能带不连续性表征

陈益航 石建美 耿峥琦 曹钧天 闻皓冉 张恩泉 李宗裔 钟云翔 张启智 吴东海 徐应强 倪海桥 杨成奥 牛智川

物理学报2026，Vol.75Issue(8)：P.152-159,8.
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物理学报2026，Vol.75Issue(8)：P.152-159,8.DOI:10.7498/aps.75.20251699

基于深能级瞬态谱的InGaSb/AlGaAsSb量子阱激光器能带不连续性表征

陈益航 1石建美 1耿峥琦 2曹钧天 1闻皓冉 2张恩泉 1李宗裔 1钟云翔 2张启智 2吴东海 1徐应强 1倪海桥 1杨成奥 1牛智川1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所,光电子材料与器件全国重点实验室,北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049
  • 2. 中国科学院半导体研究所,光电子材料与器件全国重点实验室,北京100083
  • 折叠

摘要

关键词

锑化物/激光器/深能级瞬态谱/量子阱

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈益航,石建美,耿峥琦,曹钧天,闻皓冉,张恩泉,李宗裔,钟云翔,张启智,吴东海,徐应强,倪海桥,杨成奥,牛智川..基于深能级瞬态谱的InGaSb/AlGaAsSb量子阱激光器能带不连续性表征[J].物理学报,2026,75(8):P.152-159,8.

基金项目

北京市科技新星计划(批准号:20240484621) （批准号:20240484621）

中国科学院基础科研领域稳定支持青年团队计划(批准号:YSBR-112) （批准号:YSBR-112）

山西省揭榜挂帅项目(批准号:202201030201009)资助的课题。 （批准号:202201030201009）

物理学报

1000-3290

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