宇航材料工艺2026，Vol.56Issue(2)：P.63-69,7.DOI:10.12044/j.issn.1007-2330.2026.02.009
功率VDMOS器件键合失效分析与研究
王潮洋 1戴晨毅 1林鹏荣 2贾元希 1葛一铭1
作者信息
- 1. 北京微电子技术研究所,北京100076
- 2. 北京微电子技术研究所,北京100076 清华大学机械工程系,北京100084
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摘要
关键词
功率VDMOS/粗铝丝键合/机械损伤/ANSYS/Workbench/键合工艺优化分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王潮洋,戴晨毅,林鹏荣,贾元希,葛一铭..功率VDMOS器件键合失效分析与研究[J].宇航材料工艺,2026,56(2):P.63-69,7.
