物理学报2026，Vol.75Issue(13)：P.321-330,10.DOI:10.7498/aps.75.20260187
基于VGa-nH络合物缺陷调控二维β-Ga_(2)O_(3)p型导电性的理论研究
摘要
关键词
第一性原理/二维β-Ga_(2)O_(3)/络合物缺陷/本征缺陷分类
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苗瑞霞,王嘉琪,姬祥,杨行行,张德浩,尹承睿,陈钰涵,侯银龙..基于VGa-nH络合物缺陷调控二维β-Ga_(2)O_(3)p型导电性的理论研究[J].物理学报,2026,75(13):P.321-330,10.基金项目
国家自然科学基金(批准号:62405245)资助的课题。 （批准号:62405245）
