|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|中国标准化|半导体器件总剂量效应试验标准浅析

半导体器件总剂量效应试验标准浅析

安琪 闫美存

中国标准化Issue(S1)：P.157-160,4.
✕
中国标准化Issue(S1)：P.157-160,4.

半导体器件总剂量效应试验标准浅析

安琪 1闫美存1

作者信息

  • 1. 中国电子技术标准化研究院
  • 折叠

摘要

关键词

总剂量效应/试验标准/MOS器件/低剂量率辐射损伤增强效应/抗辐射加固

分类

航空航天

引用本文复制引用

安琪,闫美存..半导体器件总剂量效应试验标准浅析[J].中国标准化,2026,(S1):P.157-160,4.

中国标准化

OACHSSCD

1002-5944

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文