中国标准化Issue(S1)：P.302-310,9.
β-Ga_(2)O_(3)单晶生长方法及缺陷研究
摘要
关键词
β-Ga_(2)O_(3)/超宽禁带半导体/单晶生长/晶体缺陷分类
数理科学引用本文复制引用
凌昊,王颖,赵鹏..β-Ga_(2)O_(3)单晶生长方法及缺陷研究[J].中国标准化,2026,(S1):P.302-310,9.基金项目
北京市科技新星计划“超宽禁带半导体氧化镓单晶生长与性能研究”项目(项目编号:20230484381)资助。 （项目编号:20230484381）
